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論文

Radiation degradation of alginate and chitosan

長澤 尚胤*; 吉井 文男; 三友 宏志*; 久米 民和

JAERI-Conf 2000-003, p.107 - 119, 2000/03

ベトナム原子力研究所との共同研究により多糖類の一種であるアルギン酸が照射により低分子化し添加すると植物の生育を促進することを見いだした。そこで分子量測定と照射で起こる着色について検討した。分子量は水溶液中に照射した方が固体照射よりも分解しやすい。水溶液の50kGy照射により分子量が5$$times$$10$$^{5}$$のものが6$$times$$10$$^{3}$$になる。固体では同じ分子量のものを得るのに水溶液の場合の10倍の線量を要した。分解のG値は固体照射の2に対し、水溶液照射では40$$sim$$50になる。着色については、(1)照射中のN$$_{2}$$バブリングで激しく起き、酸素バブリングでは着色が起きない。(2)照射着色した試料はオゾン処理により脱色する。これらの事実から、アルギン酸の着色は照射中の二重結合の生成によるものであり、その位置は、C$$_{4}$$とC$$_{5}$$の間であると推定した。キトサンもアルギン酸と同じような分解挙動を示す。

論文

顕微FT-IRによる高分子の放射線劣化の評価

松本 英哉*; 浜中 建一*; 浜 義昌*; 工藤 久明; 貴家 恒男; 瀬口 忠男

DEI-93-153, 0(0), p.1 - 8, 1993/12

ポリエチレン(PE)及びポリプロピレン(PP)にエネルギーの異なるH$$^{+}$$,He$$^{2+}$$を照射し、生成される二重結合とカルボニル基を顕微FT-IRで測定した。イオンの深さ方向に対する生成物の分布はブラッグ曲線と類似し、阻止能の分布とほぼ一致することを見い出した。生成物の収率(G値)はイオンのエネルギーに依存しないことがわかった。

論文

Excimer laser irradiation effects on ethylene-tetrafluoroethylene copolymer

浜田 祐二*; 河西 俊一; 西井 正信; 清水 雄一; 杉本 俊一; 江間 喜美子*; 山本 忠史*

J. Photopolym. Sci. Technol., 6(3), p.385 - 392, 1993/00

エチレン-テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)のエキシマレーザー光(ArF,KrF)照射によって誘起される化学変化を、ETFE全体については、紫外吸光光度法、赤外分光法によって調べ、ETFE表面については、X線光電子分光法を用いて調べた。ArFレーザー光照射によってETFE全体に二重結合が生成し、KrFレーザー光照射ではETFEは炭化した。一方、ETFE表面では、KrF及びArFレーザー光照射によってともに酸化物が生成した。このように、ETFE表面の化学反応は、全体での反応と異なることがわかった。また、レーザー光照射後のETFE表面について深さ方向分析を行い、レーザー光照射に伴う酸化反応は、表面に近い部分ほど進んでいることを見出した。この現象は、空気中の酸素の存在に起因しているものと結論した。

論文

Effect of double bonds on the $$gamma$$-radiation-induced crosslinking of polyethylene

三井 光; 細井 文雄; 後川 正裕*

J.Appl.Polym.Sci., 19(2), p.361 - 369, 1975/02

 被引用回数:9

数平均分子量(Mn)1500~114000の各種ポリエチレンに眞空中、30$$^{circ}$$Cで$$gamma$$線を照射し、ゲル分率を測定した。このゲル分率をCharlesby-Pinnerの式を用いて解析し、低密度ポリエチレンについて、次の関係式を得た。q$$_{0}$$=1.49 $$times$$ 10$$^{-}$$$$^{3}$$ 〔C=C〕$$_{0}$$$$^{0}$$.17 p$$_{0}$$=0.95 $$times$$ 10$$^{-}$$$$^{3}$$ 〔C=C〕$$_{0}$$$$^{0}$$.17 rg=1.38 $$times$$ 10$$^{4}$$Mn$$^{-}$$$$^{1}$$ 〔C=C〕$$_{0}$$$$^{-}$$$$^{0}$$.17 ここに、q$$_{0}$$およびp$$_{0}$$は単位線量(Mrad)照射したときのモノマー単位あたりの橋かけおよび主鎖切断の確率、rgはゲル化線量(Mrad)、〔C=C〕$$_{0}$$は末端ビニル基およびビニリデン基の初期含量の合計(mol/g-PE)を表わす。これらの結果から、室温、眞空中におけるポリエチレンの$$gamma$$線橋かけ反応において、末端ビニル基およびビニリデン基が重要な役割を果たすと結論した。

論文

$$gamma$$線を照射したポリエチレンの二重結合含量の速度論的研究

細井 文雄; 三井 光; 後川 正裕*; 鍵谷 勤*

高分子論文集, 31(2), p.94 - 99, 1974/02

分子量1500~114000の各種ポリエチレンに、真空中30$$^{circ}$$Cで$$gamma$$線を照射した場合の水素およびトランスビニレン基(t-V)の生成、ならびに末端ビニル基(Vi)およびビニリデン基(Vd)の消失について、つぎの速度式を得た。(mol/g-PE・hr)R$$_{H}$$=d[H$$_{2}$$]/dt=1.03$$times$$10$$^{-}$$$$^{6}$$Mn$$^{0}$$$$^{.}$$$$^{1}$$$$^{0}$$IR$$_{t}$$-V=d[t-V]/dt=1.01$$times$$10$$^{-}$$$$^{7}$$Mn$$^{0}$$$$^{.}$$$$^{2}$$$$^{8}$$IRvi=-d[Vi]/dt=2.58$$times$$10$$^{-}$$$$^{3}$$Mn$$^{0}$$.$$^{3}$$$$^{3}$$I[Vi]Rvd=-d[vd]/dt=6.57$$times$$10$$^{-}$$$$^{4}$$Mn$$^{0}$$.$$^{4}$$$$^{7}$$I[Vd]照射によるメチル基含量の変化は認められなかった。以上の結果に基づいて、水素およびt-vの生成、ならびにViおよびVdの消失反応の機構について検討した結果、ViおよびVdは、主鎖切断反応によって生成する主鎖高分子ラジカルが関与する反応によって消失すると考えることができる。

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